Năm 2015

[1] Bài báo: The Dependence of a Quantum Acoustoelectric Current on Some Qualities in a Cylindrical Quantum Wire with an Infinite Potential GaAs/GaAsAl
Tác giả: Nguyễn Văn Hiếu Tạp chí: Materials Transactions Số: 9 Trang: 1408-1411 Năm: 2015
[2] Bài báo:
Microscopic crystalline structure of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template
Tác giả: Đinh Thanh Khẩn Tạp chí: Journal of Crystal Growth Số: 411 Trang: 38-44 Năm: 2015
[3] Bài báo: Tính chất quang của Ce/Tb/Sm đồng pha tạp trong thủy tinh Tellurite ứng dụng trong Led trắng
Luminescence properties of Ce/Tb/Sm co-doped Tellurite glass for White Leds application
Tác giả: Trần Thị Hồng, Phan Tiến Dũng, Vũ Xuân Quang Tạp chí: Materials Transactions Số: 9 Trang: 1419 - 1421 Năm: 2015

[4] Bài báo: Đặc tính cao và tính đồng đều của transistor màng mỏng silic đa tinh thể được kết tinh pha rắn trên lớp YSZ bằng phương pháp nung hai bước dùng laser xung High Performance and Uniformity of Poly-Si Thin-Film Transistors using Solid-Phase Crystallization on YSZ Layers by Two-step PLA Method Tác giả: Mai Thị Kiều Liên Tạp chí: The 22nd International Display Workshops Số: 22 Trang: 226-227 Năm: 2015

[5] Bài báo: Các tính chất điện của màng mỏng Si kết tinh trên lớp kích thích kết tinh YSZ bằng phương pháp chiếu xạ hai bước sử dụng chùm laser xung Electrical Properties of Pulsed-Laser Crystallized Si Thin Films Grown on YSZ Crystallization-Induction Layers by Two-Step Irradiation Method Tác giả: Mai Thị Kiều Liên Tạp chí: The 12th Thin Film Materials & Devices Meeting-TFMD 12th Số: 12 Trang: 66-69 Năm: 2015

[6] Tham luận: Tính chất điện của màng mỏng silic đa tinh thể kết tinh trên lớp kích thích YSZ bằng phương pháp kết tinh hai bước sử dụng laser xung Electrical Properties of Pulsed-Laser Crystallized Poly-Si Thin Films Grown on YSZ Crystallization-Induction Layers by Two-Step Irradiation Method Tác giả: Mai Thị Kiều Liên Tạp chí: The Japan Society of Applied Physics-JSAP, 76th Autumn Meeting Số: Trang: Năm: 2015

[7] Tham luận: Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của tính dẫn điện trong các màng mỏng silic không pha tạp và pha tạp kết tinh bằng phương pháp hai bước sử dụng lade xung trên lớp kích thích kết tinh YSZ Temperature Dependences of Conductivity in Undoped and Doped Poly-Si Thin Films Grown on YSZ Crystallization-Induction Layers by Two-Step Irradiation Method with Pulsed Laser Tác giả: Mai Thị Kiều Liên Tạp chí: THE 22nd INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (2015) Số: 22 Trang: 225-226 Năm: 2015

[8] Tham luận: Thử nghiệm bước đầu về việc chế tạo transistor màng mỏng silic đa tinh thể sử dụng lớp kích thích kết tinh YSZ và phương pháp nung bằng laser xung First Trial Fabrication of Poly-Si TFTs using Crystallization-Induction Layers of Yttria-Stabilized Zirconia and Pulsed Laser Annealing Crystallization Methods Tác giả: Mai Thị Kiều Liên Tạp chí: The Japan Society of Applied Physics-JSAP, 62nd Spring Meeting Số: Trang: Năm: 2015

[9] Bài báo: Cải thiện chất lượng kết tinh của màng mỏng silic kết tinh trên lớp kích thích YSZ bằng phương pháp kết tinh hai bước sử dung lade xung Improving crystalline quality of polycrystalline silicon thin films crystallized on yttria-stabilized zirconia crystallization-induction layers by the two-step irradiation method of pulsed laser annealing Tác giả: Mai Thị Kiều Liên Tạp chí: Japanese Journal applied physic Số: 54 Trang: 03CA01-1 đến 03CA01-8 Năm: 2015

[10] Bài báo: Tái điều chỉnh phân kỳ tử ngoại đối với tương tác hạt với trường lượng tử vô hướng Regularization of ultraviolet divergence for a particle interacting with a scalar quantum field Tác giả: Dụng Văn Lữ Tạp chí: Số: 92 Trang: 125019 Năm: 2015

[11] Tham luận: Xấp xỉ phù hợp đồng nhất để mô tả tương tác electron-phonon A uniformly-suitable approximation for describing the electron-phonon interaction Tác giả: Dụng Văn Lữ Tạp chí: Số: 11 Trang: 66-68 Năm: 2015

[12] Tham luận: Phương pháp tự hợp để điều chỉnh sự phân kỳ tử ngoại trong mô hình trường lượng tử Self-consistent way for regularization of ultraviolet divergence in a model of a quantum field Tác giả: Dụng Văn Lữ Tạp chí: Số: 9 Trang: Năm: 2015

[13] Bài báo: Lựa chọn xấp xỉ bậc không trong mô hình tương tác của hạt với trường lượng tử Obout the choice of the zero approximation in the model of the interaction of a particle with a quantum field Tác giả: Dụng Văn Lữ Tạp chí: Số: 2 Trang: 12-19 Năm: 2015